Projektowanie i Testowanie Obwodów CMOS SRAM w Technologiach Nano-Skalowanych
0.00 z 0 ocen
Producent: Springer | Kod producenta: biography |
Indeks: 712081
Dostępny
719.27 zł
najniższa cena z ostatnich 30 dni:
719.27 zł
Liczba sztuk:
z 30 sztuk
poproś o fakturę proforma
dodaj
do obserwowanych
do obserwowanych
od 8,99 zł
koszt dostawy
koszt dostawy
pon, 5 maj
u Ciebie
u Ciebie
14 dni
na odstąpienie
na odstąpienie
Książka "Projektowanie i Testowanie Obwodów CMOS SRAM w Technologiach Nano-Skalowanych" to kompleksowy przewodnik po zaawansowanych metodach projektowania i testowania pamięci SRAM. Odkryj tajniki nowoczesnych technologii w elektrotechnice i wyzwania związane z nano-skalowaniem.
Opis
Książka "Projektowanie i Testowanie Obwodów CMOS SRAM w Technologiach Nano-Skalowanych" autorstwa Andrei Pavlova i Manoja Sachdeva to znakomite źródło wiedzy dla wszystkich, którzy pragną zgłębić świat pamięci typu SRAM w kontekście nowoczesnych technologii. Publikacja ta koncentruje się na zaawansowanych metodach projektowania oraz testowania układów CMOS, oferując czytelnikom wyjątkowy wgląd w zróżnicowane aspekty związane z konstrukcją pamięci w technologiach nano-skalowanych. Książka wyróżnia się szczegółową analizą procesów projektowych oraz praktycznymi przykładami, które pomagają lepiej zrozumieć złożone zagadnienia inżynieryjne. Dzięki temu, zarówno inżynierowie jak i studenci znajdą w niej wartościowe wskazówki, które można zastosować w rzeczywistych projektach. Publikacja jest częścią serii "Frontiers in Electronic Testing", co podkreśla jej znaczenie oraz nowoczesność podejścia do tematu. Czytelnicy zostaną poprowadzeni przez świat CMOS, RAM, SRAM oraz tranzystorów stosowanych w obwodach zintegrowanych. W szczególności autorzy poruszają tematykę statycznych tranzystorów indukcyjnych co jest dużym atutem tej książki.
W kolejnych rozdziałach publikacji autorzy przedstawiają różnorodne techniki testowania obwodów CMOS SRAM, zapewniając czytelnikom narzędzia do analizy wydajności i niezawodności projektów w kontekście ich zastosowania w praktyce. Ważnym elementem książki jest również analiza wyzwań związanych z używaniem technologii nano-skalowanych oraz ich wpływem na projektowanie układów. Zastosowanie nowoczesnych metod projektowania i szczegółowe omówienie wyzwań technicznych sprawiają, że publikacja ta jest nieocenioną pomocą dla każdego, kto pragnie zbudować solidną podstawę wiedzy na temat obwodów CMOS i SRAM. W szczególności, zawarte w książce praktyczne przykłady oraz analizy techniczne pozwolą na głębsze zrozumienie omawianych tematów i ich zastosowań w branży elektronicznej.
Zgłęb wiedzę na temat CMOS SRAM
Książka ta to doskonała okazja do zapoznania się z zaawansowanymi metodami projektowania oraz testowania pamięci SRAM w kontekście najnowszych technologii.
Praktyczne przykłady i analizy
Autorzy oferują liczne praktyczne przykłady, które ułatwiają zrozumienie złożonych zagadnień związanych z projektowaniem układów elektronicznych.
Najnowsze osiągnięcia technologiczne
Poznaj wyzwania i innowacje w projektowaniu układów w technologii nano-skalowanej, które wpływają na rozwój współczesnej elektroniki.
Ostatecznie, "Projektowanie i Testowanie Obwodów CMOS SRAM w Technologiach Nano-Skalowanych" to lektura obowiązkowa dla każdego, kto chce rozwijać swoje umiejętności i wiedzę w dziedzinie elektroniki. Książka ta dostarcza nie tylko teoretycznej bazy, ale również praktycznych wskazówek, które można wykorzystać w codziennej pracy inżynierskiej. Zawiera również informacje o przyszłych kierunkach rozwoju technologii nano-skalowanych, co czyni ją aktualnym materiałem dla wszystkich zainteresowanych elektroniką i nowoczesnymi rozwiązaniami w tej dziedzinie.
Parametry
ISBN
9789048178551
Język
angielski
Wydanie
miękka oprawa
Liczba stron
210
Wydawca
Springer
Opinie
0.00 /5 (ilość opini: 0)
5
0
4
0
3
0
2
0
1
0
Znasz ten produkt?
Twoja opinia pomoże innym!
Pytania i odpowiedzi
Brak pytań i odpowiedzi
Pliki do pobrania
Zobacz także